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在oled上面显示复数操作步骤如下:

1、使用编程语言中的适当函数或库将复数转换为字符串,这涉及到将实部和虚部分别转换为字符串,并添加适当的符号。

2、根据使用的具体OLED屏幕型号和接口,初始化OLED屏幕,这涉及到设置通信协议、引脚连接和屏幕参数等。

3、使用适当的库或代码将转换后的字符串显示在OLED屏幕上,这涉及到设置显示位置、字体大小和其他显示参数。

用proteus仿真LPC2138控制12864液晶的资料

OLED的原文是Organic Light Emitting Diode,中文意思就是“有机发光显示技术”。其原理是在两电极之间夹上有机发光层,当正负极电子在此有机材料中相遇时就会发光,其组件结构比目前流行的TFT LCD简单,生产成本只有TFT LCD的三到四成左右。除了生产成本便宜之外,OLED还有许多优势,比如自身发光的特性,目前LCD都需要背光模块(在液晶后面加灯管),但OLED通电之后就会自己发光,可以省掉灯管的重量体积及耗电量(灯管耗电量几乎占整个液晶屏幕的一半),不仅让产品厚度只剩两厘米左右,操作电压更低到2至10伏特,加上OLED的反应时间(小于10ms)及色彩都比TFT LCD出色,更有可弯曲的特性,让它的应用范围极广。

OLED结构及发光原理

OLED的基本结构是在铟锡氧化物(ITO)玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层,发光层上方有一层低功函数的金属电极,构成如三明治的结构。

OLED的基本结构主要包括:

基板(透明塑料、玻璃、金属箔)——基层用来支撑整个OLED。

阳极(透明)——阳极在电流流过设备时消除电子(增加电子“空穴”)。

空穴传输层——该层由有机材料分子构成,这些分子传输由阳极而来的“空穴”。

发光层——该层由有机材料分子(不同于导电层)构成,发光过程在这一层进行。

电子传输层——该层由有机材料分子构成,这些分子传输由阴极而来的“电子”。

阴极(可以是透明的,也可以不透明,视OLED类型而定)——当设备内有电流流通时,阴极会将电子注入电路。

OLED是双注入型发光器件,在外界电压的驱动下,由电极注入的电子和空穴在发光层中复合形成处于束缚能级的电子空穴对即激子,激子辐射退激发发出光子,产生可见光。为增强电子和空穴的注入和传输能力,通常在ITO与发光层之间增加一层空穴传输层,在发光层与金属电极之间增加一层电子传输层,从而提高发光性能。其中,空穴由阳极注入,电子由阴极注入。空穴在有机材料的最高占据分子轨道(HOMO)上跳跃传输,电子在有机材料的最低未占据分子轨道(LUMO)上跳跃传输。

ARM处理器凭借其强大的功能、极低的功耗、较小的封装广泛应用于门禁、无线抄表、智能温控等小型系统中,在这些系统中人机交互界面一般由LCD完成,但是通常LCD在显示亮度、环境适应等方面存在缺陷,所以越来越多新技术新产品逐渐出现,OLED就是一种。本文介绍了一种基于OLED的显示器VGS12864E的结构原理,给出了其在ARM7微处理器LPC2138系统应用中的硬件连接和具体程序设计。

系统简述

LPC2138简介

LPC2138是基于支持实时仿真和嵌入式跟踪的32/16 位ARM7TDMI-S CPU 的微控制器,带有512 KB高速Flash和32KB的SRAM。128位宽度的存储器接口和独特的加速结构使32 位代码能够在最大时钟速率下运行。对代码规模有严格控制的应用可使用16 位Thumb模式将代码规模降低超过30%,而性能的损失却很小。

LPC2138内含2个32位定时器、2个10位8路ADC、10位DAC、PWM通道和47个GPIO以及多达9个边沿或电平触发的外部中断,它还具有多个串口,包括2个16C550工业标准UART、2个高速I 2 C接口(400kbit/s)、SPITM和SSP(具有缓冲功能,数据长度可变)。

较小的封装和极低的功耗使LPC2138可理想地用于工业控制和医疗等小型系统中,如访问控制和POS机、通信网关、协议转换器、软modem、声音辨别和低端成像等等。

VGS12864E结构原理

VGS12864E是128列×64行点阵单色OLED图形字符显示模块,由于其采用有机发光技术,无需背光源,所以与传统LCD相比在阳光照射下更能呈现清晰的图像和数据,另外它还具有高亮度、高对比度、宽视角、低驱动电压和高发光效率等优越的特性,较宽的温度范围(存储温度:?30℃~80℃,工作温度:?20℃~70℃)也能适应更恶劣的环境。

VGS12864E使用两片列驱动控制器,分别驱动1-64列和65-128列和一片有64行输出的行驱动器,内藏64×64显示数据RAM,RAM中每位数据对应屏上一个点的亮、暗,其结构如图1所示:它把一个半屏分成了按行的八页,因为每个字节的数据按低位(LSB)在上,高 位(MSB)在下的结构排列,所以在提取字库的时候,需要设置取字模的方式为:纵向取模,字节倒序。

系统硬件结构

VGS12864E共有20个引脚,功能定义如表2,它与LPC2138的连接如图2所示。尽管LPC2138的I/O口可以承受5V的输入电压,但是其输出的高电平电压不能驱动VGS12864,所以在它们中间需要加一个电平转换芯片。本系统电平转换采用IDT74FCT164245T芯片,它是基于高速CMOS技术的16位3.3V到5V的双向转换口(其中P1.28口负责数据方向的控制)。

程序设计

对VGS12864E的各种操作都是通过其指令系统完成的,通过控制脚的高低电平和数据口的数据来完成各种操作。显示时一般需要设置列地址和页地址,然后进行相应的读写操作(在写操作前都要读“忙”状态),最后根据需要进行相应的循环。在同页内,列地址在执行完读写操作后自动加一。

本文程序有如下宏定义:

#define uint32 unsigned int

#define uint16 unsigned short

#define uchar unsigned char

#define DIS_DIR 1<<24 //P1.24

#define DIS_DI1<<28 //P0.28

#define DIS_RW1<<29 //P0.29

#define DIS_E1<<30 //P0.30

#define DIS_CS21<<31 //P0.31

#define DIS_CS11<<16 //P1.16

读“忙”状子程序

在对VGS12864E的各种写操作执行之前都需要进行读“忙”操作,防止在“忙”状态下“写”操作的不正确执行,程序代码如下:

void read_status()

{ uchar busy;

uchar temp;

IOCLR0 = DIS_DI; //选择"指令"寄存器

IOSET0 = DIS_RW; //选择"读"操作

IOCLR1 = DIS_DIR; //控制电平转换方向

do

{ IOPIN0 = (IOPIN0 & 0xFFFFFF00) | 0xff;

IOSET0 = DIS_E;

busy=(IOPIN0 & 0xff);

IOCLR0 = DIS_E; //使能操作

temp=busy & 0x80;

}while(temp!=0); //忙则继续循环

IOSET1 = DIS_DIR; //控制电平转换方向

}

写指令子程序

// 对左半屏写指令操作,右半屏操作只需要改变片选电平(DIS_CS1、DIS_CS2)

void wr_command1()

{

IOCLR1 = DIS_CS1; //选择左半屏

IOSET0 = DIS_CS2;

read_status(); //读"忙"状态

IOSET0 = DIS_DI; //选择"写"操作

IOCLR0 = DIS_RW; //选择"指令"寄存器

IOPIN0 = (IOPIN0 & 0xFFFFFF00) | com; //送指令

IOSET0 = DIS_E; //使能操作

IOCLR0 = DIS_E;

}

写数据子程序

//对左半屏写数据操作,右半屏操作只需要改变片选电平(DIS_CS1、DIS_CS2)

void wr_data1()

{

IOCLR1 = DIS_CS1; //选择左半屏

IOSET0 = DIS_CS2;

read_status(); //读"忙"状态

IOSET0 = DIS_DI; //选择"写"操作

IOCLR0 = DIS_RW; //选择"数据"寄存器

IOPIN0 = (IOPIN0 & 0xFFFFFF00) | dat;//送数据

IOSET0 = DIS_E; //使能操作

IOCLR0 = DIS_E;

}

其他子程序

//OLED初始化子程序

void init_OLED()

{

com =0xc0; //第"0"行开始显示

wr_command1();

wr_command2();

com =0x3f; //打开OLED显示

wr_command1();

wr_command2();

}

//清屏程序

void clear_prog(void)

{

for(i=0;i<8;i++)

{

com =(0xb8+i); //页面地址设置

wr_command1(); wr_command2();

com =0x40; //列地址设置

wr_command1();

wr_command2();

for(j=0;j<64;j++)//在一页内,列地址自动增加

{

dat=0x00;

wr_data1();//写RAM都为0,这样完成清屏

}

}

}

//汉字显示标准函数:把屏幕分成0,1,2,3四行和64列进行汉字的显示,每个汉字占两//行,字库数据通过指针进行传递

void display(uchar hang,uchar lie,uchar *p_dis_data)

{

for(page=hang;page<hang+2;page++)

{

uchar m;

com=(0xb8 + page); //页面地址设置

wr_command1();

com=0x40+lie; //列地址设置

wr_command1();

f or(m=0;m<64;m++)//显示大小根据实际情况 进行改变 {

dat=*p_dis_data;

wr_data1();

p_dis_data++;

}

}

}

关于“怎样在oled上面显示复数”这个话题的介绍,今天小编就给大家分享完了,如果对你有所帮助请保持对本站的关注!

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